20.11.2006

Aşağıda NPN ve PNP transistörlerin çalışma ilkeleri yeniden anlatılmıştır. Koyu yazılan kısım transistörün nasıl akım yükseltmesi yaptığının püf noktasıdır.

Aşağıda herhangi bir hata bulursanız lütfen A.Sevinc@kku.edu.tr adresine bildiriniz.

NPN TRANSİSTÖRÜN ÇALIŞMA İLKESİ

Soldaki NP eklemi ters kutuplanırsa taşıyıcılardan boşaltılmış bölge genişler. Eklem yüzeyinin P tarafında (-) yüklü alıcı iyonlar, N tarafında (+) yüklü verici iyonlar bulunduğundan, şekildeki yönde bir ξı elektrik alanı vardır. Bu alan çoğunluk taşıyıcılarının geçişine izin vermez. Azınlık taşıyıcısı olmadığı sürece bu eklemden akım geçmez.

Sağdaki PN eklemi doğru kutuplanırsa bu eklemin boşaltılmış bölgesi daralır. VBE voltajı, ξiç elektrik alanına zıt yönde, onu yenecek bir alan oluşturacak büyüklükteyse (iletim voltajına ulaşmışsa) çoğunluk taşıyıcıları bu eklemi geçerler ve B’den E’ye bir akım geçer. N bölgesinin çoğunluk taşıyıcıları olan serbest elektronlar P bölgesine ulaştıklarında, bu bölge çok ince ve yüksek özdirençli olduğu için, çoğu B ucuna ulaşamadan kendilerini soldaki eklemin taşıyıcılardan boşaltılmış bölgesinde bulurlar. P bölgesi için azınlık taşıyıcısı sayılan bu elektronlar, ξı elektrik alanının yardımıyla kolayca soldaki N bölgesine geçerler. Buradan da VCB geriliminin (+) kutbu tarafından çekilirler ve şekildeki yönde bir iC akımı oluşur.

P bölgesindeki serbest elektronların ancak az bir kısmı B ucuna ulaştığı için iC >> iB olur. Yani kollektör akımı (iC), beyz akımının (iB)  yükseltilmişi olarak elde edilir.

PNP TRANSİSTÖRÜN ÇALIŞMA İLKESİ

Soldaki PN eklemi ters kutuplanırsa taşıyıcılardan boşaltılmış bölge genişler. Eklem yüzeyinin N tarafında (+) yüklü verici iyonlar, P tarafında (-) yüklü alıcı iyonlar bulunduğundan, şekildeki yönde bir ξı elektrik alanı vardır. Bu alan çoğunluk taşıyıcılarının geçişine izin vermez. Azınlık taşıyıcısı olmadığı sürece bu eklemden akım geçmez.

Sağdaki NP eklemi doğru kutuplanırsa bu eklemin boşaltılmış bölgesi daralır. VEB voltajı, ξiç elektrik alanına zıt yönde, onu yenecek bir alan oluşturacak büyüklükteyse (iletim voltajına ulaşmışsa) çoğunluk taşıyıcıları bu eklemi geçerler ve E’den B’ye bir akım geçer. P bölgesinin çoğunluk taşıyıcıları olan holler N bölgesine ulaştıklarında, bu bölge çok ince ve yüksek özdirençli olduğu için, çoğu B ucuna ulaşamadan kendilerini soldaki eklemin taşıyıcılardan boşaltılmış bölgesinde bulurlar. N bölgesi için azınlık taşıyıcısı sayılan bu holler, ξı elektrik alanının yardımıyla kolayca soldaki P bölgesine geçerler. Buradan da VBC geriliminin (-) kutbu tarafından çekilirler ve şekildeki yönde bir iC akımı oluşur.

N bölgesindeki hollerin ancak az bir kısmı B ucuna ulaştığı için  iC >> iB  olur. Yani kollektör akımı (iC), beyz akımının (iB) yükseltilmişi olarak elde edilir.

TRANSİSTÖRÜN ÇALIŞMA İLKESİ, TRANSISTORUN CALISMA ILKESI, transistörün çalışma ilkesi, transistorun calisma ilkesi, transistörün
calisma ilkesi, TRANSİSTÖRÜN ÇALIŞMA PRENSİBİ, TRANSISTORUN CALISMA PRENSIBI, transistörün çalışma prensibi, transistorun calisma prensibi, transistörün
calisma prensibi, TRANSİSTÖRÜN ÇALIŞMA PRENSİPİ, TRANSISTORUN CALISMA PRENSIPI, transistörün çalışma prensipi, transistorun calisma prensipi, transistörün
calisma prensipi, bjt transistör, bjt transistor, bjt TRANSISTOR, bjt TRANSİSTÖR, bjt TRANSISTÖR